垂直腔面发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Lasers，简称VCSEL)是一种新型的半导体激光器，和普通激光器相比，它的阈值电流低、效率高、功耗低、发散角小、容易和光纤耦合以及易于和其他光学元件集成等优异特性，在光信息处理、光互连、光计算等方面都有广泛的应用前景。本论文设计和制作了850nm垂直腔面发射激光器，主要内容如下： 阐述了垂直腔面发射激光器的工作原理，结构设计，并重点对850nm高功率垂直腔面发射激光器分布布拉格反射镜(DBR)进行了理论设计及分析。 设计出AlAs／【GaAs／AlAs】半导体／超晶格DBR，并使用MBE设备在n~+-GaAs(100)衬底上外延生长了这种DBR反射镜。结果表明，此DBR在保持较高的反射率的同时也具有较小的串联电阻。 在VCSEL器件研制方面，我们采用氧化物限制结构来对其电流和光场进行限制。研制出的VCSEL室温激射波长峰值在840nm、单管阈值电流不大于5mA、单管峰值输出功率不小于3.5mW。