【摘 要】
：
GaN纳米颗粒,GaN纳米线等低维纳米结构材料因在三维或两维方向上同时维度受到限制.更容易呈现出一些不同于常规体材料的独特性能,在未来的纳米光电器件领域有着诱人的应用前
论文部分内容阅读
GaN纳米颗粒,GaN纳米线等低维纳米结构材料因在三维或两维方向上同时维度受到限制.更容易呈现出一些不同于常规体材料的独特性能,在未来的纳米光电器件领域有着诱人的应用前景,引起研究人员的广泛关注.但目前对GaN纳米颗粒和GaN纳米线的制备方法还不成熟.还难以制备出高品质的材料,尤其是对GaN纳米线的制备在97年才刚刚开始.该文主要介绍作者在GaN纳米颗粒和GaN纳米线等低维纳米材料的制备,显微结构,生长机制及物性分析等方面的探索性研究.
其他文献
该论文较系统研究了纳米硅/氧化硅体系可见和近红外发光.得到了一些创新的实验成果.主要有以下几方面：1.每个Au/(SiO/Si/SiO)/p-Si二极管和Au/SiO（4.5nm)/p-Si对比二极管的电致
在该论文中,作者研究了在高阻N型单晶硅材料上的条形低能医用X射线探测器.目前半导体X射线探测器的研究集中在PIN结构,选用的材料有Si、GaAS、Ge、HgI、CdTe等.条形低能医用
随着微电子技术向纳电子技术转变,人们对低指数硅表面的热情已逐渐被高指数硅表面取代了,因为最近发现稳定的高指数硅和锗表面不但能构成各种纳米结构,还有可能用作生长纳米
R-矩阵方法，分别在单通道近似及三态密耦近似下，计算了类理离子C3+激发态(1s22p)2P的光电离总截面、分波电离截面及分波电离截面随有效量子数的变化规律。类理离子C3+激发态由
“秋天明月分外亮，清冷寒光照村庄。年老父母种稻又插秧，忍饥受饿度时光。夜半人静月更明，寒风斜照射进窗。期待异国的丈夫啊，妻子无限寂寞和悲伤。……”这是１９４４年秋季，在华日本人反
在最近十余年期间,光子晶体,也称作光子微细构或者光子带隙结构,逐渐发展成熟,从最初人们对其中电磁波传输特性的理论好奇发展为在微波和可见光领域里的实际应用.这种新型的
该文主要研究了对一种神经网络模型(Mcculloch-Pitts)在有稀疏的情况下,耦合参数对其全同步的影响.在大量数值模拟的基础上,我们发现了一条新奇的临界曲线.这条曲线是在子系
该论文中主要使用隧道谱方法对新超导体MgB及几种新合成Heusler合金和半Heusler合金的物理性质进行了研究.论文中系统地研究了超导体MgB断裂结和MgB/Nb点接触的直流和交流Jos
双势阱模型是一个研究隧穿问题的简单而基本的物理模型。周期外场驱动下双势阱中的隧穿问题一直是人们研究的一个重要问题，外加的驱动场可以增强隧穿，也可以抑制隧穿。玻色-爱
根据半导体激光器的基本原理，我们设计并制作了光栅外腔半导体激光器;建立了铯原子磁光阱系统，实现了中性铯原子的冷却与俘获;研究了常温下气室中铯原子D2跃迁线的光抽运光谱，并