论文部分内容阅读
该文运用经验紫束缚模型,通过对沿[001]方向生长的硅基半导体超晶格电子结构以及光吸收谱的理论计算来研究(001)面内光吸收的各向异性行为及Pockels效应.文中计算了Sil-xGex/Si/Sil-yGey与Si<,2>/ZnS两类超晶格的电子结构、光吸收谱,并讨论了光吸收谱中的各向异性,分析了界面不等价性、电场对各向异性的影响,最后计算了Pockels系数.