随着电子工业的发展,人们对具备高电子迁移率的化合物半导体尤其是铟镓砷(InGaAs)的研究和使用日益广泛。这对材料性能提出了更高的要求,促进了对InGaAs材料的深入研究,成为了研究的热点。分子束外延技术由于具有其它生长技术无法比拟的优点,被广泛用于Ⅲ—Ⅴ族化合物及其多元化合物的生长,制作结构复杂、性能优异的半导体器件。为了解材料表面形貌,采用了原子级空间分辨的扫描隧道显微镜来进行薄膜表面特性研究。论文通过对贵州大学低维半导体结构实验室的分子束外延(MBE)和低温扫描隧道显微镜(LT-STM)联合系统的调试和使用,总结出对MBE和STM的调试方法、砷压校准方法、样品清洗方案,设计制作出扫描隧道显微镜探针电极腐蚀装置,生长了GaAs、InGaAs薄膜,在样品生长和退火过程中对高In组分的InGaAs表面形貌相变动态化过程进行了研究。研究表明,在某一固定的砷压和退火温度下,随着退火时间的延长,高In组分的InGaAs表面形貌逐渐向无序化方向变化,样品变得更加粗糙,在表面存在不对称应力情况下,形成岛状结构的趋势明显。