以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等新材料为基础的新型功率器件,在各种功率应用场合下正显示出优越的特性和广阔的发展前景,而商用的SiC SBD等器件已经在功率因数校正(PFC)电路中得到了实际应用,大幅提高工作频率、效率和功率密度。而在开关器件方面,SiC MOSFET和SiC JFET器件也实现了商业化,为高电压、高温等应用场合提供了新的解决方案。在这些新型功率器件中,SiC JFET器件由于相对简单的技术原理、和相对低的技术门槛,对比例如SiC MOSFET等器件,具有价格低廉、可靠性高等优势,是目前备受瞩目的下一代功率开关器件选择之一。目前针对SiC JFET器件的研发已有多年,包括多种新型工艺结构和类型的JFET器件均已得到实现,例如包含集成的寄生反并二极管的新结构等。由于JFET器件本身不包含S-D的内部二极管,而即使是包含集成反并二极管的新型SiCJFET器件也是类似于MOSFET内部的P-N结二极管,其反向恢复状况依然不令人满意,尤其在高温情况下的少子恢复现象更加明显。因此当前的JFET器件应用拓扑普遍包含了外部反并肖特基二极管,用于改善开关过程中的反向恢复情况。在此背景下,本论文以基于传统沟道设计的SiC JFET的测试结果和器件结构分析为基础,对于SiC JFET器件的反向电流导通能力进行了完整的评估与分析,并通过不同温度下的测试结果,提出了在SiC JFET器件应用中外部反向并联二极管的应用准则；并讨论了无外部二极管,而仅仅依靠JFET本身沟道逆向导电的可能性；为了实际验证去除并联在SiC JFET器件外部的二极管对于应用电路工作性能的影响,本论文通过双脉冲测试以及后续的应用桥臂电路测试,对这种应用方式下的反向恢复电荷、栅极驱动电路的要求、损耗与效率比较等多种因素进行了完整的评价和总结。与此同时,基于JFET沟道的逆向导电原理,引申、并提出了一种全新的二极管结构概念,不依赖传统上直接基于P-N结势垒或者肖特基势垒,而通过JFET沟道的夹断势垒,来实现可以调节的开启电压,从而平衡正向导通与反向泄露特性。