绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）具有开关速度快、通流能力强、驱动简单和较宽的安全工作区等优点，作为功率半导体开关具有明显的优势。然而，由于单个IGBT器件的耐压等级较低，限制了其在特高压、高压直流输电等高电压场合中的广泛应用。将IGBT串联使用是一种直接、有效的解决办法。在IGBT串联使用中，存在各个串联IGBT器件间的静态和动态电压不均衡的问题，严重时会造成某个器件上出现过电压而损坏，导致串联失败。因此，研究IGBT串联电压均衡技术具有十分重要的意义。本文从IGBT的基本理论出发，详细地阐述了IGBT的基本结构、工作原理和基本特性，尤其是重点剖析了IGBT的动态特性。同时，简要介绍了常用的IGBT驱动和保护电路。其次，为了研究IGBT串联电压不均衡分布机理，建立了基于Saber的IGBT串联仿真模型，重点研究IGBT自身参数不一致、外围电路参数不一致和对地分布电容等因素对串联IGBT电压分布的影响。并利用最大电压不均衡度刻画出了参数变化对开关瞬态时电压不均衡分布的影响强弱。然后，在对现有电压均衡方法进行分析和总结的基础上，得出通过电压均衡电路减小串联IGBT器件的集-射极电压斜率，延长串联IGBT的开关瞬态持续时间，以减小器件最大电压不均衡度的这种技术手段是可行的。最后，针对IGBT串联电压不均衡问题，从功率端电压均衡技术和栅极端电压均衡技术两方面分别进行研究，提出了两种改进型的电压均衡方法。在功率端电压均衡技术上，提出了集-射极电压斜率变化的馈能式电路；在栅极端电压均衡技术上，提出了基于增强密勒效应的有源均压电路。这两种电路实现了串联IGBT集-射极电压斜率的主动调整，并通过仿真和实验，验证了上述两种电路良好的电压均衡效果。