Cu2O是一种非常有前景的太阳能电池材料,它在自然界中表现为p型导电,通过控制条件可以制得n型Cu2O。同质结可以降低异质结引起的晶格失配,因此同质结太阳能电池在提高电池效率上有着独特的潜力。电沉积制备Cu2O p-n同质结一般需要两步,在生产中广泛应用会有一定的限制。本文通过在碱性条件下控制沉积时间制备得到了不同半导体导电行为的Cu2O薄膜,当电沉积时间较短时Cu2O薄膜表现为p型导电,电沉积时间较长时Cu2O薄膜表现为n型导电。通过对沉积不同时间得到的Cu2O薄膜的成分、结构和光电化学性能等进行表征和分析,发现电沉积时间较长时得到的Cu2O薄膜实际上是p-n同质结。通过用稀硝酸逐步刻蚀的手段对沉积较长时间的Cu2O薄膜的成分和光电化学响应等性质进行了分析和研究,证明一步法制得的Cu2O p-n同质结是由于先在底层生成了 p型Cu2O薄膜,然后在表层生成了 n型Cu2O薄膜。