半导体材料从发展到现在已经得到了广泛的应用,它具有较大的非线性吸收和三阶非线性极化率,而低维半导体材料(量子点、量子线、量子阱)在近年来也得到了广泛的关注、研究及应用。在实际应用中已经研制出了半导体激光器、量子线晶体管、制备太阳能电池或者微腔激光器等。由于半导体材料随着尺寸的减小其性能发生与体相结构本质的改变,为此研究半导体材料的相关光学性质是十分有必要的。CdSeS半导体材料不仅属于低维半导体材料,而且是多原子分子的半导体。由于组分的不同也会使在材料在电学、光学等方面发生本质的改变。近年来,国内外对CdSeS量子点的合成、表征以及发光特性、组分的确定等有较多的实验研究,然而对CdSeS的光学计算的报道以及结合电子结构对CdSeS的光学性质分析却报道不足。因此研究这些微观机理对CdSeS的宏观光学性质的理解是十分有必要的。本文主要研究CdSeS中当原子Se和S比例发生改变时,电子结构和相关的光学性质。主要工作如下:1.研究不同组分的CdSeS晶体电子结构和光学性质的第一性原理。首先确定其理论模型,按照不同组分进行模型的优化,本文利用基于密度泛函赝势平面波的方法对不同组分的CdSeS的电子结构、态密度、折射率、反射谱、吸收谱、光电到率、能量损失函数进行系统的计算,为该材料的进一步设计与应用提供重要的理论参考。2.运用Castep模块和DOML3模块在程序中用PBE基组对不同组分的(CdSeXS1-X)n(n=4)微团簇进行了电子结构以及光学性质的计算。还得到了带隙、对称性、电子密度以及热力学相关的信息。