本论文研究了钽（Tantalum Ta）金属掺杂的氧化铟锡（Indium Tin Oxide ITO）薄膜的光学性能和电学性能，以及其实际应用。通过在氧化铟锡（In2O3/SnO2=95/5 wt％）中掺入钽金属（质量百分比为0.2wt％），研究了钽掺杂氧化铟锡透明导电薄膜的光电综合性能；并用上述薄膜制备氮化镓基发光二极管（GaN-based LED）的导电层，研究透明导电薄膜与p型氮化镓之间的欧姆接触。　　 首先，以电子束蒸发技术（Electron-beam evaporation technique）将钽掺杂氧化铟锡靶材蒸镀于玻璃片上，形成Ta掺杂ITO透明导电薄膜，再通过不同温度下的退火处理，研究透明导电薄膜的综合性能。在最佳蒸镀条件下，作出传输线模型器件后，研究透明导电薄膜与p型GaN的欧姆接触，并进一步制作出LED芯片，研究LED的光学和电学性能。　　 在实验结果方面，以蒸镀时衬底温度为25℃，钽金属质量百分比为0.2wt％的掺杂浓度，所制备的Ta掺杂ITO透明导电薄膜的综合性能最佳。当在氮气氧气氛围下经过500℃退火时，Ta掺杂ITO透明导电薄膜表面均方根粗糙度为2.17nm，方阻为10-20 Ω，在440nm的透光率可达98.5％。　　 以此条件制作出的传输线器件，在氮气氧气氛围下经过500℃退火30分钟，得到与p型GaN较低的欧姆接触电阻（5.65×10-5Ω·c㎡）。制作所得蓝光LED器件，在注入电流为20mA时，其开启电压可达3.21V，与传统Ni/Au欧姆接触蓝光LED器件比较发现，其输出功率此时增加了62％。