碳化硅基单相逆变器的研究

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【摘要】

：

与传统Si器件相比SiC器件具有优异的耐温、耐压、高功率密度和高频性能,但是目前基于Si IGBT和Si FRD的逆变器广泛应用于电力电子装置中,存在着效率低、功耗大、耐温差、开关频率低、体积大、重量沉等缺点,人们不断研究采用新型开关器件来改善逆变器的现存缺点。为此本文将全SiC功率模块(SiC MOSFET+SiC SBD)应用于高频交流输出的单相逆变器中,通过仿真对比、平台搭建,研究SiC功率

【作者】

：

张春美

【机构】

：

西安理工大学

【发表日期】

：

2017年06期

【关键词】

：

逆变器 SiCMOSFET ZVS软开关损耗效率

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