随着计算机等家用电子产品技术的不断进步和更新换代,我们的生活已经进入了电子时代。同时我们也正经历着一场新的技术革命,而这场技术革命的原动力正是半导体产业的不断创新,推动创新的就是半导体设计和制造工艺的不断提升。目前,国际上的半导体制造工艺已经进入了纳米时代,世界级的制造企业已经进入了45nm工艺的大量量产,中芯国际也与去年引进了IBM公司的45nm工艺的技术,预计今年年底可能投产。而目前中国国内能大量量产的最先进的工艺是90nm,65nm工艺,又以90nm的工艺最为成熟。正如我们所知的,随着半导体从微米时代进入到亚微米时代,再到纳米时代;晶园的尺寸也由原来的150毫米到200毫米,再到今天的300毫米。本文研究的就是在300毫米晶园上90纳米逻辑制程上的缺陷问题。光刻工艺通过曝光的方法将掩模上的图形转移到涂覆于硅片表面的光刻胶上,然后通过显影、刻蚀等工艺将图形转移到硅片上。光刻工艺直接决定了大规模集成电路的特征尺寸,是大规模集成电路制造的关键工艺。另外,光刻工艺还有着另一个很大的作用就是是离子植入的基础,为离子植入制作阻挡层。微影工艺的好坏往往决定了集成电路的最终结果。微影要做的就是为蚀刻和离子植入“开窗”。在这个开窗区域,我们或蚀刻,做出我们需要的线宽;或植入离子,掺入我们需要的杂质,从而做出我们需要的器件和互连线。微影工艺有两个关键:(一)做出符合目标需要的窗口尺寸(二)尽量减少在工艺过程中产生的缺陷.第一点,无需拗述,这是微影的灵魂,更是其他工艺的基础。但是第二点同样重要,特别是在商业化生产的集成电路行业,因为它往往会影响芯片的最终良率,而良率的好坏又是产品是否拥有价格优势的关键,它也是考量fab工艺是否成熟可信的一个关键参数。在我们300毫米90纳米逻辑产品的生产过程中发现了Peeling缺陷的问题,主要是在离子植入层,这些缺陷因为是可动的,他们可能会覆盖在有源区,从而影响该区域的离子植入的计量,最终体现在最终的产品上就是速度变慢,良率降低。既影响了器件的性能,有影响了公司的效益。这篇论文就是针对这个缺陷问题,找到产生的机理,并给出相应的解决方案。并对在解决过程中出现的另一个Satellite缺陷问题,加以分析,并最终给以解决。从而彻底解决掉这个严重困扰实际生产的缺陷问题。