随着现代电子技术的发展，开关电源技术广泛地应用在各种电子设备中，在直流多路输出开关电源中，利用磁放大器来调节输出电压，成为一种趋势。磁放大器磁芯方形比尽量高，以提高控制灵敏度与放大系数，同时要求材料矫顽力低与铁损小，可降低复位电流，降低系统温升。本文首先较详细地研究了Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9纳米晶带材的软磁性能，通过对Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9纳米晶带材退火处理、纵向磁场处理，Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9纳米晶带材达到了高矩形比（Br/Bs=0.986）、低矫顽力（0.5A/m）的优良磁性能，可以替换国外产品。为了降低Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9纳米晶带材的压磁效应，本文在Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9纳米晶带材中用V部分替代Nb制备了Fe73.5Cu1Nb3-xVxSi13.5B9纳米晶带材。当x=1时，Fe73.5Cu1Nb3-xVxSi13.5B9纳米晶带材的软磁性能与Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9纳米晶带材相近。通过压磁效应研究表明，Fe73.5Cu1Nb3-xVxSi13.5B9纳米晶带材的应力阻抗效应值SI随测试信号频率的升高而降低；V元素的加入会降低带材的SI值，如在1KHz、1.55MPa下，不含V元素的非晶带材SI为0.29%，而含V量最高的非晶带材SI下降到0.24%；在0.76~1.55MPa应力范围内，纳米晶态带材的压磁特性普遍优于非晶态带材。在纳米晶带材中，未加入V元素的带材在0.76~1.55MPa内各频率段压磁特性较其非晶态均有改善，在1KHz、1.55MPa下的SI值达到了0.3%。而加入了V元素的纳米晶带材在0.32~0.66MPa的应力范围内各频率下的压磁特性均优于其非晶态带材。