氧化铟锡（Tin-dope indium oxide,ITO）薄膜做为一种新型材料被应用于诸多领域,其优异的特性引起了各国专家的广泛关注和研究。ITO薄膜具有很多优异的特性,如对可见光透过率可达83%以上、红外反射率超过80%、紫外吸收率超过85%、电阻率在10-3-10-4?·cm范围、能隙在3.6-3.9eV范围等。此外,ITO薄膜还具有高硬度、耐磨、耐化学腐蚀,以及容易刻蚀成一定形状的电极图形等诸多优点,这使得ITO薄膜被广泛应用于各种领域。本文利用直流脉冲磁控溅射法在室温下制备ITO薄膜。通过台阶仪、祡外-可见分光光度计、四探针仪,XPS等表征技术,研究了沉积气压、溅射功率,以及Ar/O₂流量比对ITO薄膜沉积速率、光电性能,以及薄膜成份的影响。研究结果表明,薄膜沉积速率随沉积气压的增大而减小,随溅射功率的增大而增大;方块电阻随气压的增大而增大,随功率的增大而减小;可见光平均透过率主要受O₂流量的影响,随着O₂流量的增大稍有增加;薄膜成份中的O₂含量随着O₂流量的增加也有稍微的增加,但是随着沉积气压或功率的变化,薄膜成份没有太大变化。在沉积气压为0.5Pa,Ar/O₂流量比为20:0.2,溅射功率为250W,膜厚为200nm时,薄膜的方块电阻为24Ω/□,可见光平均透过率为84.1%。对ITO薄膜退火处理的研究发现:在对较低O₂流量下制备的ITO薄膜进行退火时,220℃下退火20min后,ITO薄膜的方块电阻下降率最大,能大大提高薄膜的导电性能;在对富O₂流量下制备的ITO薄膜进行退火时,在400℃下退火10min后薄膜的电阻率下降最大,提高了薄膜的导电性能。