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硅微通道板(SiliconMicrochannel Plates:SiMCPs)具有高深宽比和大比表面积这两个优点,是作为三维催化电极理想的基底层,在析氢反应(HER)方面的应用前景极其广阔。对硅衬底进行一系列MEMS工艺进行处理得到标准的硅微通道板(方孔尺寸为5μm×5μm,深度为250μm)。首先,利用液流法在硅微通道板(SiMCPs)孔道内侧壁上沉积钴镍磷(CoNiP)合金材料(CoNiP/SiMCPs),制备了钴镍磷微米管阵列。比较了液流沉积与真空化学沉积两种工艺方法,验证了液流法对于SiMCPs化学沉积的优化。其次,对CoNiP/SiMCPs在碱性电解液环境中的电化学特性进行了研究。CoNiP/SiMCPs催化电极具有高效的析氢反应(HER)催化活性。在搅拌速度为550 r/min时,电极的过电位为229 mV对应的电流密度为20 mA cm-2。在lmol L-1的KOH中,当搅拌速度从0提高到550r/min,催化电极极化曲线的塔菲尔斜率为139.2-98.8 mV dec-1。相比于二维结构的CoNiP/Si,三维非晶结构的CoNiP/SiMCPs具有更优良的HER催化性能。非贵重过渡金属钴的氢氧化物电催化剂的合成是一个重要的前沿课题。进一步的,我们在前面的硅微通道板的基础上,利用液流淀积法形成宏孔导电网络(MECN),利用水热法成功合成三维狼牙棒状的氢氧化钴纳米棒状催化电极。这个独特的架构是一种具有高深宽比的三维阵列结构,能提供极大地有效面积,同时能在催化电化学反应的电极与电解液界面处暴露出更多的活性点。我们分别与以MECN为基底的氢氧化钴纳米片和泡沫状的氢氧化钴做了全面的对比,发现我们合成的架构展现了更加高效的HER的催化性能。催化电极电流密度为10 mAcm-2的情况下,存在较低的过电位为-69.2mVvs.RHE,塔菲尔斜率为61.9 mVdec-1。这种三维催化电极存在高电流密度以及稳定的催化活性,使得其在析氢反应上具有广泛的应用前景。