随着制作器件及布线的微细加工技术的不断发展，集成电路的集成度不断提高，从大规模集成电路发展到极大规模集成电路。传统集成电路制造工艺中金属互连材料已经受到很大的限制，而使用较低电阻率的互连材料可以减少引线的宽度和厚度，低K材料作为介质层可以减小分布电容，对降低互连线延迟时间起到重要作用，并能提高集成电路的密度。银具有极低的电阻率和极好的热传导性，它将是一种非常有希望的应用于极大规模集成电路的互连材料。金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术是适合制备极大规模集成电路所需的连续、均匀、具有良好阶梯覆盖率的高质量银薄膜互连材料的技术之一。本文的主要研究内容是设计并合成一系列路易斯碱稳定的、新颖的银（I）的配合物（前驱体），通过元素分析、FT-IR、¹H，¹³C{H}，³¹P{H} NMR以及X-射线单晶衍射对合成的化合物进行了表征，利用TG-DSC对其热稳定性和分解机理进行了初步研究，最后筛选出几种合适的银（I）配合物作为前驱体进行MOCVD薄膜生长工艺进行了研究。研究工作主要包括以下几个方面：（1）有机膦稳定的烷基取代磺酸银（I）配合物（前驱体）以及制备银互连材料的研究分别以亚甲基二磺酸和甲磺酸作为主配体，利用有机膦作为辅助配体，设计、合成了一系列有机膦稳定的亚甲基二磺酸银（I）配合物[CH₂（SO₃）₂Ag₂Ln]（L=PPh₃; n=2,1a; n=3,1b; n=4,1c; n=5,1d; n=6,1e; L=P（OEt）₃; n=2,1f; n=4,1g; n=6,1h; L=P（OMe）₃; n=2,1i; n=4,1j; n=6,1k）和三甲氧基膦稳定的甲基磺酸银（I）配合物[CH₃SO₃Ag L’n]（L’=P（OMe）₃; n=1,1l;n=2,1m）。研究了主配体、辅助配体对前驱体的分解机理、热稳定性和成膜性能的影响。（2）路易斯碱稳定的丁二酰亚胺银（I）配合物（前驱体）以及制备银互连材料的研究以丁二酰亚胺作为主配体，利用路易斯碱作为辅助配体，设计、合成了一系列路易斯碱稳定的丁二酰亚胺银（I）配合物[Ln Rm AgNC₄H₄O₂]（L=P（OMe）₃; m=0, n=1,2a; L=P（OMe）₃; m=0, n=2,2b; L=P（OEt）₃; m=0, n=1,2c; L=TEMEDA; m=0, n=1,2d; L=TEMEDA, R=P（OMe）₃; m=1, n=1,2e）。研究了辅助配体对配合物的分解机理、热稳定性和成膜性能的影响。（3）有机膦稳定的N-乙酰基苯甲酰亚胺银（I）配合物（前驱体）以及制备银互连材料的研究以N-乙酰基苯甲酰胺作为主配体，利用有机膦作为辅助配体，设计、合成了一系列含有Ag-N键的N-乙酰基苯甲酰胺银（I）配合物[Ln AgNC₉H₈O₂]（L=PPh₃; n=1,3a; n=2,3b; n=3,3c; L=P（OEt）₃; n=1,3d; n=2,3e; n=3,3f）。研究了辅助配体对配合物的分解机理、热稳定性和成膜性能的影响。（4）有机膦稳定的N-羟基丁二酰亚胺银（Ι）配合物（前驱体）以及制备银互连材料的研究以N-羟基丁二酰亚胺作为主配体，利用有机膦作为辅助配体，设计、合成了一系列含有Ag-O-N键的N-羟基丁二酰亚胺银（Ι）配合物[Ln AgO₃C₄H₄N]（L=PPh₃; n=1,4a; n=2,4b; L=P（OEt）₃; n=1,4c; n=2,4d; L=P（OMe）₃; n=1,4e; n=2,4f）。初步研究了有机膦稳定的N-羟基丁二酰亚胺的配合物[Ln AgO₃C₄H₄N]与溶剂二氯甲烷发生的单取代和双取代反应。