嵌入式flash存储器内建自测试IP核的研究

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Flash存储器具有成本低、密度大和掉电不丢失数据的特点,在存储器市场中所占的比例越来越大,已广泛地运用于各个领域。同时flash存储器的密度和复杂程度日益提高,可能存在的缺陷类型越来越多,给嵌入式flash存储器的测试带来了困难。因此,研究flash存储器测试方法具有重要的理论和实践意义。  本文在深入研究嵌入式flash存储器故障模型和测试算法的基础上,设计并实现了测试嵌入式flash存储器的flash MBIST IP核。该IP核采用内建自测试方法。在测试状态下,有两种测试模式,即debug测试模式和非debug测试模式。每种测试模式都兼容字间测试和字内测试。在非测试的状态下,保证系统能够对存储器进行操作。IP核设计包括控制器设计和参数自动生成部分设计。控制器设计包括算法状态机、算法控制模块、地址生成模块、控制生成模块、数据背景生成模块和比较器设计。参数自动生成部分根据不同存储容量、不同字宽的存储器和不同的算法选择,修改 IP核中的参数,使得IP核的测试可以面向不同的嵌入式flash存储器,面向不同的算法。  验证结果表明,设计的IP核,可以采用不同的算法,有效的测试不同嵌入式flash存储器的故障。
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