随着科技的发展,超高速电子器件及光电子器件发展很快,特别是一些新的半导体材料制造技术的应用,使得半导体器件的速度已达到几个皮秒甚至亚皮秒。这些高速器件的带宽,已经远超过了传统的纯电子测量技术的能力,因此必须寻找新的测量方法。本文即根据此目的设计,结合传统光刻工艺与原子力显微镜(Atomic Force Microscopy, AFM)阳极诱导氧化加工技术,制作超快高性能的光电导开关,对开关的自相关测量方法进行了研究,设计了光电导开关的自相关测量系统。本文的主要研究内容和研究结果如下:1.分析总结了前人关于原子力显微镜氧化钛膜的实验,找到用AFM加工氧化钛膜的最佳实验条件:8V的直流偏压,0.1μm/s的扫描速度,以及30%~50%的相对加工湿度。通过实验证明在上述条件下加工的氧化钛线具有很好的连续性、均匀性和直线度;2.通过比较各种常用光电导材料和传输线样式的优缺点,针对我们要实现的功能,选定采用GaAs作为光电导开关的衬底,设计了专门针对光电导开关的自相关测量方法的开关的传输线版图结构;3.结合自相关测量的工作原理,设计了光电导开关的自相关测量系统,包括:延迟采样、微电流放大、锁相信号检测模块的设计,并分析了测量系统的工作性能;4.从理论上分析了开关的等效电路结构,对光电导开关的信号产生门和采样门的工作原理和输出情况进行了分析,并用MATLAB分别对其输出信号进行了模拟和频谱分析;