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近年来,二维层状材料因独特结构、性质而成为材料的研究热点。二硫化钼(MoS2)作为典型的二维层状过渡金属硫化物,因其带隙可调,在高性能开关器件、高增益光电探测器等的应用比石墨烯更具优势。本文用化学气相沉积法(CVD)在不同基底上制备了超薄MoS2及电子器件;在此基础上,用范德瓦耳斯外延技术生长了超薄SnSe2/MoS2异质结,并研究了其层间耦合特性。研究内容和结果如下:首先,用CVD法在SiO2/Si基底上生长了高质量单层MoS2。合成的单层MoS2呈三角片,尺寸达几十微米、荧光发射强、晶体质量高。