随着集成电路线宽不断减小,生产技术需要不断优化以满足线宽减小的工艺要求。本文以0.13微米逻辑产品多晶硅栅形成的工艺为例,指出湿法光阻剥离程序中,会在晶圆表面残留难以发现的0.1微米以下的污染物微粒即深亚微米颗粒。通过实际观察跟踪,发现这种污染物微粒对产品的良率有着致命的影响。利用多晶硅淀积时对晶圆表面微粒的尺寸放大效应,来放大这种难以观测的污染物微粒,从而间接达到对这种超出量测范围的微粒进行观测的效果。在这种放大效应的帮助下,利用各种先进的光学仪器、高倍扫描电子设备和缺陷分析设备,运用排除法找出了有问题的酸槽,经过分析和统计得出污染源就是生产线上的其他产品。为此从两方面优化工艺程序：一、通过多组实验,证明超声波震荡可以提高湿法光阻剥离后的SC1对这种微粒的去除能力,同时也并不会对产品的多晶硅表面造成损伤。二、对经过湿法光阻剥离机台的不同道产品进行污染等级分类,避免交叉污染。通过实际生产结果证实优化方案不但可以解决微小污染物所带来的致命问题,同时更可以提高整个产品的良率0.7%。最后,从理论上分析了多晶硅淀积对表面微粒的放大效应,得到放大函数；并通过多种实验找出真正影响这种间接观测法的因素,验证方法的合理性,从而可以正确有效的利用此方法监测湿法光阻剥离机台状态。