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随着电子信息产业的迅速发展,作为电子信息产品基材的印制电路板在电子产品中的使用日趋广泛,但也面临着许多新挑战,其中,轻、薄、小和高密度化成为发展趋势,同时也对散热提出一定的要求,因此其专用基础材料覆铜板的性能要求也越来越高。普通的覆铜板由于导热系数低、介电常数高、介质损耗大等不足,已经不能满足一些高端电子产品的要求,因此导热覆铜板的开发迫在眉睫。而近年来,导热二维纳米材料因其诸多的结构与性能优势成为当前的研究热点。本文主要围绕六方氮化硼纳米片的制备、改性及其应用,开展了以下研究:1、一步法剥离制备六方氮化硼纳米片及其功能化改性。即利用超声波辅助有机溶剂异丙醇对块体六方氮化硼进行剥离,然后静置离心转移获得少层（<10）的六方氮化硼纳米片;在此基础上,根据需要将硅烷偶联剂加入到六方氮化硼纳米片悬浮液中,控制超声波的间歇模式进行改性,获得改性六方氮化硼纳米片（kh570-BNNSs）。与其他制备方法相比,该工艺具有明显的优势,不但制备工艺简单,生产周期短,对未来大规模制备单层六方纳米片及扩大其应用具有参考价值。2、柔性导热低介电氮化硼纳米片-芳纶纳米纤维复合纸（ANFs/BNNSs）的制备。即采用有机溶剂-强碱（DMSO/KOH）体系溶解对位芳纶纤维制得芳纶纳米纤维（ANFs）,然后将已经被去质子化的纳米芳纶透析实现纳米芳纶的再质子化。最后将剥离后的BNNSs加入到纳米芳纶-水溶液中,真空抽滤制备得到柔性高导热低介电芳纶纳米纸（ANFs/BNNSs）。在芳纶纳米纸的结构中,纳米芳纶和氮化硼纳米片的混合均匀,纳米芳纶的掺杂大大提高了氮化硼纳米膜的强度,同时降低了其介电常数。制备工艺简单,可以用于微型化的电子设备中,尤其是对应用频率有一定要求的高频通讯设备中。3、柔性导热低介电半固化片的精密成型及其在覆铜板中的应用。即将制备所得的改性六方氮化硼纳米片添加至环氧树脂中,用于浸渍上述的ANFs/BNNSs纸,真空浸渍后干燥获得半固化片。添加极少量的kh570-BNNSs（2.0 wt%）可获得导热系数为0.484W·m-1·K-1的树脂复合材料,是纯环氧树脂(0.218 W·m-1·K-1)的2.22倍。制备所得的芳纶纳米纸基半固化片（ANFs-prepreg）绝缘,介电性能优异。1.0 MHz测试频率条件下,芳纶纳米纸基半固化片介电常数及介质损耗为2.97和0.011。