先进技术微通道板（Advanced Technology Microchannel Plates，AT-MCP）是美国伽利略公司90年代中期提出的一种全新的微通道板制作技术。通道内壁连续打拿极的形成是AT-MCP制造的关键技术之一，AT-MCP最大的突破就是将基底材料和打拿极材料选择分开，同时也将微孔列阵与连续打拿极制作工艺分开，因此AT-MCP内壁连续打拿极的形成具有材料选择范围宽，工艺灵活性大等优点。 据此，本论文主要研究了连续打拿极材料发射特性，同时探索了AT—MCP形成工艺。实验采用多路感应耦合等离子（ICP）刻蚀系统形成微孔列阵，利用LPVCD在深通道内壁形成多晶Si薄膜作为连续打拿极导电层，再利用热氧化工艺形成SiO₂二次电子发射倍增膜，制备出具有一定性能的AT-MCP样品。最后利用MCP特性测试系统测量MCP电子增益等特性参数。为了进一步研究次级发射材料发射特性，在制备连续打拿极时加入陪片，利用二次电子发射系数测试系统测试陪片的次级发射系数，研究次级发射材料的发射特性。