【摘 要】
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采用中频反应磁控溅射法在柔性PET衬底上分别以TiO2、SnO2和ZnO为缓冲层,室温沉积出铝掺杂氧化锌(AZO)柔性薄膜,研究了缓冲层对柔性AZO薄膜结构、光电性质和弯曲特性的影响。用SEM、XRD、EDS、XPS手段测试分析了不同AZO薄膜的表面形貌、晶体结构、组分和表面元素等。结果表明添加无机缓冲层能够改善AZO薄膜的晶体质量,其中SnO2和ZnO缓冲层改善效果相对最佳,缓冲层均减小了薄膜表
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采用中频反应磁控溅射法在柔性PET衬底上分别以TiO2、SnO2和ZnO为缓冲层,室温沉积出铝掺杂氧化锌(AZO)柔性薄膜,研究了缓冲层对柔性AZO薄膜结构、光电性质和弯曲特性的影响。用SEM、XRD、EDS、XPS手段测试分析了不同AZO薄膜的表面形貌、晶体结构、组分和表面元素等。结果表明添加无机缓冲层能够改善AZO薄膜的晶体质量,其中SnO2和ZnO缓冲层改善效果相对最佳,缓冲层均减小了薄膜表面元素的氧过量。通过对薄膜Hall性质分析以及紫外-可见光吸收特性分析,研究了不同氩氧比或溅射时间下柔性缓冲层对薄膜光电性能的影响,获得优化的工艺参数。研究结果表明,三种缓冲层均能有效改善柔性AZO薄膜的电学性质,并且无机缓冲层在提高薄膜光学电学综合性能方面表现出独到性,其中氩氧比5:1条件下SnO2缓冲层上生长的柔性AZO薄膜(膜厚400nm)光电性能提高最为显著,薄膜电阻率大幅降低,可见光区域平均透过率超过85%。研究了弯曲载荷下各缓冲层AZO薄膜光电性能的变化。发现当薄膜内弯曲时,无论改变弯曲半径还是弯曲次数,SnO2和ZnO缓冲层对于薄膜电学性质的退化具有非常显著的抑制作用,电阻率相对增量均在8%以下,远小于无缓冲层时的电阻率增量;薄膜外弯曲时,SnO2缓冲层对于改善薄膜耐弯曲半径性能的效果最佳,而TiO2缓冲层则对于薄膜耐弯曲次数性能的改善效果最优,电阻相对增量均低于6%。
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