稀磁半导体可以同时具有电子的电荷和自旋两种属性,使多种学科得以有机结合。磁性元素掺入Ⅳ族半导体内制备的稀磁半导体材料能够与作为传统半导体材料的Si基兼容,使用该种材料制备的器件具有低功耗、小尺寸、非易失性、速度快等优点。理论研究发现磁性元素掺杂Ge制备的稀磁半导体材料能够达到室温以上的居里温度,其多种优越特性吸引业界广泛的关注,成为学科热点。本文所有样品均使用离子束溅射（IBSD）设备进行生长,分别对于生长温度、沉积量、Mn掺杂浓度对于Mn_xGe_1-x量子点（QDs）的形貌、结晶性以及磁性的影响分别进行研究。开展的工作以及结果如下所示:1.采取正交实验的研究方法对影响Mn_xGe_1-x量子点形貌的主要因素进行探究,得到三种因素（生长温度、沉积量、退火温度）对Mn_xGe_1-x量子点形貌影响的主次排序。通过实验结果可知,影响最为主要的为生长温度,其次为Mn_xGe_1-x层沉积量,影响最弱的为退火温度。根据正交实验的结果,分别研究生长温度与沉积量对样品形貌的影响。实验结果显示,样品的密度随着生长温度的升高呈现先增大后减小的趋势,量子点尺寸随着生长温度的升高而增大,Ge的结晶性随着温度的升高而变好;量子点的密度随着沉积量的增加亦呈现出先增大后减小的趋势,量子点尺寸随着沉积量的增加而增大,Ge的结晶性随着Mn Ge层沉积量的增加而变好。综合生长温度与沉积量对Mn_xGe_1-x量子点形貌影响的实验结果可得到,Mn_xGe_1-x量子点最佳生长温度为750℃、最佳Mn Ge层沉积量为7 nm。2.研究Mn掺杂浓度对Mn_xGe_1-x量子点形貌、结晶性以及磁性所造成的影响。采用共溅射法得到4种Mn掺杂浓度（0%、3.6%、4.8%、5.5%）,并在不同Mn掺杂浓度条件下生长多组样品。实验结果显示随着Mn掺杂浓度的提高,量子点的密度减小、尺寸变大,由于Mn的掺入,量子点的生长阶段会提前进入大岛吞并小岛的成熟阶段;而Mn的掺入会提高Ge的结晶性,并且随着Mn掺杂量的增加,样品的居里温度升高。