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河南省残疾人运动员心理健康管理研究
【机 构】
:
郑州大学
【出 处】
:
郑州大学
【发表日期】
:
2019年期
其他文献
用改进的垂直气相法生长的富镉 Cd Se单晶 ,其电阻率为 10 7Ω· cm量级 ,电子陷阱浓度为 10 8cm- 3量级 ,且能将注入其中的部分电荷储存起来。分析认为 ,晶体的高电阻率及储