本文利用粉末冶金法结合放电等离子烧结（SPS）技术成功制备出Cu-In-Te的三种衍生物Cu_2.5In_4.5Te₈、Cu_3.52In_4.16Te₈和CuIn₅Te₈。并在此基础上,研究了Cu_2.5+xIn_4.5Te₈（x=0,0.05,0.1,0.15）、（Cu2Te）_x(Cu_3.52In_4.16Te₈)（x=0,0.03,0.05,0.08,0.11）和（Cu₂Te）_x（CuIn₅Te₈）（x=0,0.1,0.2,0.3,0.4,0.5）这三种材料的结构与热电性能。研究结果总结如下:在Cu_2.5+xIn_4.5Te₈（x=0,0.05,0.1,0.15）这组材料中,当添加额外的Cu后,有效地提高了霍尔载流子浓度（n_H）、降低了晶格热导率（κ_L）。载流子浓度（n_H）的增强归因于价带顶（VBM）上G点处产生了简并杂质能带,而晶格热导率（κ_L）的降低则是由于晶格出现了畸变。因此,当绝对温度T=820 K、掺杂量x=0.1时,样品获得了最小晶格热导率κ_L:0.23 Wm^-1K^-1,这与使用Callaway模型计算的结果非常一致。当x=0.1时,材料的热电优值ZT值达到了最高值（≈0.84）,比本征Cu_2.5In_4.5Te₈高出约0.38;在（Cu₂Te）_x(Cu_3.52In_4.16Te₈)（x=0,0.03,0.05,0.08,0.11）这组材料中,当Cu₂Te掺到Cu_3.52In_4.16Te₈后,额外Te原子以间隙Te原子的形式存在于晶格中,引起周围局域对称性的改变,并由于局部Te原子的“振荡”作用优化了声子传输机制,有效得降低了晶格热导率(最低晶格热导率只有0.3WK^-1m^-1)。同时,由于费米能级（E_f）向导带底（CBM）方向移动,导致霍尔载流子浓度（n_H）随着Cu₂Te含量的增大而降低,但功率因子保持稳定。因此,当掺杂量x=0.08时,在815K下,无量纲热电优值ZT值达到最高:1.65（±1.5）,大约是x=0的1.5倍。这一材料在工业中具有巨大的应用前景;在CuIn₅Te₈材料中掺杂Cu₂Te形成化学式（Cu₂Te）_x（CuIn₅Te₈）后,有效地提高了材料的电导率。在814K下,电导率由本征时的0.34′10³Ω^-1m^-1上升到x=0.4时的2.02′10³Ω^-1m^-1。最高ZT值约为0.3（x=0.4,814K）,比本征样品相同温度条件下的ZT值提高了3倍。