随着硅基场效应晶体管尺寸逐渐逼近摩尔定律极限,短沟道效应成为制约集成度进一步提高的重要限制因素,而具有极薄厚度的二维半导体材料有希望在未来的大规模集成电路中实现对硅材料的有效替代,这就使得平整且无表面悬挂键的超薄半导体材料成为目前的研究热点。二维超薄Bi2O2Se薄膜具有较小的带隙宽度（～0.8 eV）、极高的载流子迁移率、极小的电子有效质量以及空气稳定等优异特性,受到了广泛关注。这些特性使得二维Bi2O2Se与其它主要的二维材料（石墨烯、MoS2和黑磷等）实现有效互补,可用于下一代的微电子及光电子器件中。目前合成Bi2O2Se面临的主要问题是,以云母为衬底生长的二维Bi2O2Se晶体由于与衬底有较强的相互作用力,导致其难以无损地转移至功能衬底,进而实现高性能电学、光电器件的制备。因此如何实现二维Bi2O2Se无损转移成为急需解决的问题。此外,二维Bi2O2Se作为具有优异特性的半导体材料,其大面积合成制备一直没有得到有效解决,导致基于Bi2O2Se的器件应用仍受限于小尺寸样品的研究。针对以上问题,本论文以材料合成为切入点,通过探索多种新的生长方法,以实现基于SiO2/Si衬底的无转移、大面积二维Bi2O2Se薄膜生长。具体而言,使用了一种简便、快速和可扩展的液态金属合成技术,在获得大面积Bi2O3薄膜的基础上,不断提升薄膜质量。结果表明使用金属液滴挤压印刷法可在SiO2/Si衬底上合成大面积高质量Bi2O3薄膜,该薄膜具有纳米级平整度和厘米级尺寸;将得到的Bi2O3薄膜经过化学气相沉积法硒化后,可合成大面积二维Bi2O2Se;通过探针转移电极法将Bi2O2Se薄膜制备为场效应晶体管,呈现良好的电学和光电性能。此外,使用Bi2O3作为种子层,通过CVD合成法在SiO2/Si衬底上首次直接合成了正方形单晶二维Bi2O2Se。论文采用的硅基Bi202Se薄膜大面积合成的方法将推进相应电学、光电器件阵列化的研究,并有助于实现Bi2O2Se半导体薄膜在实用化场景中的应用。