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多孔材料具有比表面积大、密度低、吸附能力强、比强度高、孔结构可调控等优点,在催化负载、药物缓释、物质分离、气体吸附与储存,电化学器件等领域扮演了极其重要的角色,其制备策略备受关注。我们在前期工作中发展了聚乳酸(PLLA)/聚甲醛(POM),聚偏氟乙烯(PVDF)/聚丁二酸丁二醇酯(PBSU)体系基于结晶模板制备多孔材料的策略,然而这一策略仍然存在一些问题,一方面,由于选用体系中POM,PVDF结晶速率很快,在线跟踪困难,结晶排出过程及其规律仍不清晰;另一方面,这种策略的普适性需要验证,将这种熔体相容结晶/结晶共混体系推广至一般含结晶组分的高分子体系,将熔体结晶推广至冷结晶,有利于探索更简易的高分子多孔材料制备策略。鉴于此,本文选择热力学完全相容的PLLA/聚醋酸乙烯酯(PVAc)体系,将小角X射线散射(SAXS)与差示扫描量热仪(DSC)联用系统研究PLLA/PVAc共混体系(熔体/冷)结晶排出规律,并基于上述规律,利用结晶模板,构筑PLLA多孔材料,最后通过共混物组成及结晶温度的调节实现PLLA多孔薄膜孔径调控。主要研究内容如下:(1)完全相容的PLLA/PVAc共混体系结晶排出过程的研究:引入新参数φ_s’,将之与φ_s及L,L_c,L_a等参数结合,从共混物整体以及结晶区域两个层面,系统地阐明了PLLA/PVAc共混体系(熔体/冷)结晶排出过程:φ_s着眼于共混物整体,φ_s随(熔体/冷)结晶时间延长逐渐升高,表明整个共混物中越来越多的PVAc被包入PLLA片晶中;而φ_s’仅仅关注结晶部分,随着(熔体/冷)结晶时间的延长,φ_s’逐渐下降,表明在结晶过程中有部分PVAc扩散到PLLA片晶之外。在上述过程中,PLLA片晶生长是两个参数变化的主导因素,即从整体看,PLLA片晶生长导致越来越多的PVAc被包入PLLA片晶间,φ_s升高;然而,并非所有的PVAc均被包入PLLA片晶间,也有一部分在片晶生长过程中迁移到了片晶之外,这是φ_s’下降的原因;(2)基于熔体结晶排出作用的PLLA多孔材料制备及其结构调控:基于得到的熔体结晶排出规律,获得PLLA相和PVAc相高度连续的"双连续相"结构,在此基础上通过选择性溶剂甲醇刻蚀PVAc相,成功制备PLLA多孔材料;并通过共混物中PLLA和PVAc的配比及熔体结晶温度的控制,实现共混物中PVAc相分布位置的精确调控;阐明了组成和结晶温度对非晶相所处位置以及孔结构的影响规律:即共混物中PVAc含量提高有利于PVAc排出;随着熔体结晶温度提高,基于PVAc扩散速率和PLLA晶体生长速率的耦合作用,实现了PVAc晶叠间-片晶间-晶叠间分布的有效控制;在组成和温度的调控过程中,扩散到PLLA片晶外的PVAc含量越高,多孔材料孔径越大;(3)基于冷结晶排出作用的PLLA多孔材料制备及其结构调控:基于得到的冷结晶排出规律,获得PLLA相和PVAc相高度连续的"双连续相"结构,在此基础上通过选择性溶剂甲醇刻蚀PVAc相,成功制备PLLA多孔材料;并通过共混物中PLLA和PVAc的配比及冷结晶温度的控制,实现共混物中PVAc相分布位置的精确调控;阐明了组成和结晶温度对非晶相所处位置以及孔结构的影响规律:即共混物中PVAc含量提高有利于PVAc排出;随着熔体结晶温度提高,基于PVAc扩散速率和PLLA晶体生长速率的耦合作用,实现了PVAc晶叠间-片晶间-晶叠间分布的有效控制;在组成和温度的调控过程中,扩散到PLLA片晶外的PVAc含量越高,多孔材料孔径越大;