半导体材料以其优异的特性在功能陶瓷的研究中备受瞩目,广泛应用于各类陶瓷器件中。三元钒基半导体相比于二元钒氧化物来说,带隙窄,种类多,光电性能稳定,催化效率高,在光电领域具有更多研究的潜力。铁电体虽具有优秀的分离光生载流子的能力,但其大部分可吸收的光波长限制在紫外区域,这限制了其应用。而BiVO4、WO3等能吸收可见光的铁弹性材料也表现出类似于铁电表面的空间选择光化学活性,这在一定程度上解决了铁电体存在的问题。BiVO4作为三元钒基化合物的代表,具有优异的微波介电性能,较高的光催化效率和空间选择性反应。Pb3V2O8与BiVO4室温均属单斜晶系,具有低温相变,且结构具有一定的相似。目前对于Pb3V2O8材料的研究主要集中在其物相结构和相转变,其功能性与相应应用尚待发掘。基于此,本论文以Pb3V2O8材料为研究对象,探究了材料表面具有的物理化学性能。具体研究内容与结果如下:（1）利用固相反应结合放电等离子体烧结制备Pb3V2O8陶瓷粉末和块体,研究了其物相结构和基本的物理性能。X射线衍射结果表明制备出的Pb3V2O8陶瓷粉末和块体均具有单斜相的结构;紫外可见光吸收谱的表征表明Pb3V2O8陶瓷粉末的禁带宽度为2.37 eV,光吸收范围扩展到了可见光波段550 nm,这低于很多半导体材料;实验利用介温测试仪对陶瓷的介电性能进行了研究,发现在低频时,Pb3V2O8陶瓷具有107的量级的介电常数;介电温谱图与变温拉曼光谱的结果表明制备出的Pb3V2O8陶瓷在100℃左右存在由三方γ相位转变为单斜β相位的相转变。（2）利用化学腐蚀法,通过调控氢氟酸和盐酸与水的体积比,在Pb3V2O8陶瓷表面获得不同的纳米结构形貌。当腐蚀剂体积比为HF:HCl:H2O=1:1:200时,陶瓷表面呈现均匀的纳米片结构,对其物相结构的分析表明酸的腐蚀使陶瓷表面生成了新的物质PbFCl。具有纳米片结构的陶瓷与Pb3V2O8陶瓷水接触角的结果表明,两组样品均为疏水的表面,而蚀刻后的陶瓷水接触角更大。在氙灯照射下,具有纳米片结构的陶瓷表面在120 min之内可将15 mg/L的甲基橙溶液降解完全,且在循环三次后仍能达到80%的降解率,循环稳定性较好。（3）利用原子力显微镜和压电力显微镜分别对盐酸蚀刻和热蚀刻后的Pb3V2O8陶瓷表面的铁弹畴和光化学反应性进行了表征分析。结果表明中心对称的铁弹体Pb3V2O8材料由于铁弹相变在表面产生极性区域,且通过光沉积实验能够验证Pb3V2O8表面畴结构能够促进硝酸银溶液中Ag的空间选择性还原。这与陶瓷近表面区域的挠曲电效应有关。此外,光沉积实验也验证了 Pb3V2O8陶瓷材料具有以晶面为单位的空间选择反应性。