理论研究表明IVB族过渡金属二卤代物具有比VIB族更高的载流子迁移率,且IVB族中Zr S₂材料的稳定性较好,其优异的可见光响应使得Zr S₂材料在光电器件领域具有很大的潜能。基于此,本文构建了两种Zr S₂基范德华异质结,并采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了扭角、应力和电场对这两种异质结电子结构和光学性能的影响。具体研究内容如下:由H相单层Zr S₂和单层Hf S₂构建的H-Zr S₂/Hf S₂范德华异质结具有比单层H-Zr S₂更高的可见光吸收系数,但该异质结间接带隙的能带结构限制了其在光电子技术领域的应用。通过给H-Zr S₂/Hf S₂异质结施加固定的扭角（13.2°、17.9°、42.1°和46.8°）或者在异质结的x方向上施加-6%～-11%的单轴压缩应力,能够将异质结调制为直接带隙半导体,可用作发光材料。在扭角和x方向单轴压缩应力的作用下,异质结的光学各向异性更加显著。其中,扭角的施加可以提高异质结在（001）和（100）方向的可见光吸收系数;x方向单轴压缩应力的施加能够提高异质结在（001）方向的可见光吸收系数,而（100）方向的吸收峰向红外波段移动,从而使得可见光区的光吸收系数减小。施加电场虽然能够调制H-Zr S₂/Hf S₂异质结的带隙,但是并不能将异质结从间接带隙调制为直接带隙。构建的T-Zr S₂/h BN范德华异质结导带底和价带顶位于k空间的Γ点,是直接带隙半导体。结果表明,给T-Zr S₂/h BN异质结施加固定的扭角、过大的拉伸或压缩应力会将异质结从直接带隙调制为间接带隙,不利于其应用在光学器件领域。而电场的施加能够线性的调制T-Zr S₂/h BN异质结的带隙,同时不会改变异质结直接带隙的能带结构。所构建的T-Zr S₂/h BN异质结的可见光吸收系数并没有单层T-Zr S₂的高,只有给T-Zr S₂/h BN异质结施加60°的扭角、ε_xy=-1%～-6%的双轴压缩应力、ε_xx=-1%～-4%的x方向单轴压缩应力、ε_yy=-1%～-4%的y方向单轴压缩应力或者施加负电场时,才能够显著提高异质结在（001）方向的可见光吸收系数。