随着电子电力领域的发展,功率器件正逐步占有更多的市场份额,对功率MOSFET器件的研究也逐步深入,为改善“硅极限”问题,许多创新的结构问世,其中利用电荷补偿改变漂移区内电场分布的超结MOSFET器件拥有更高的耐压和更低的比导通电阻,获得了市场的青睐。但其依旧存在工艺难度大导致电荷非平衡问题、体二极管反向恢复性能差和存在junction field-effect transistor（JFET）效应问题。为了改进这些问题带来的影响,提出了许多新颖的结构、发明和优化方法。对超结结构潜能的挖掘和改进仍需要不断深入。本文建立了隔离柱超结结构和任意梯形超结结构比导通电阻与电场分布解析模型,通过合理的优化方法探究了不同设计参数和外界条件对此类结构的影响,深入分析了结构的工作及优化规律的机理,为该类结构的设计工作提供初步数据和理论支持。本文的创新方面主要为:1.基于对加入二氧化硅层和本征硅补偿层超结结构的研究,提出了一类隔离柱超结结构统一的电场分布和比导通电阻模型,该模型适用于任意介电系数的隔离柱材料。同时,通过准确的优化程序,探究了不同设计参数对不同隔离柱材料的该类结构的影响,证明了本征硅补偿层无法带来改进,且最佳选择为低介电系数材料,但耐压和半元胞宽度的选择范围存在限制。2.提出了非中心对称型的梯形超结结构的电场分布和比导通电阻模型,分别通过MATLAB和Medici软件进行分析与仿真,证明了存在比中心对称型梯形超结结构的比导通电阻-耐压关系更优异的非对称型梯形超结结构。本文的研究深化了对超结结构及其改进结构的理解,为未来超结结构的创新发展方向提供分析指导和理论基础。