声表面波器件具有小型化、频率高、带宽大、可进行实时信号处理等优点。随着微电子、通信及其它领域的迅速发展,人们对高频高性能声表面波器件的要求也越来越高。而若研究这种高频声表面波器件,对压电材料的研究就是至关重要的。A1N具有优异的物理、化学特性,适用于高频声表面波器件,因此,对A1N薄膜的制备及压电特性的研究是很重要的。　　 本文采用射频磁控溅射法制备了(100)择优取向生长的A1N薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)分析了薄膜结构特性,研究了工作压强和溅射功率对制备的影响。利用压电力显微镜(PFM)对A1N薄膜的形貌和压电性能进行了表征,分析了(100)择优取向生长的A1N薄膜的压电性能。主要研究内容如下:　　 (1)采用射频磁控溅射法在Si(100)衬底(含Au导电层)上制备(100)取向的A1N薄膜；　　 (2)研究了工作压强对制备的A1N薄膜性能的影响。结果表明,一般情况下,增加工作气压能够提供给(100)择优取向的A1N薄膜更好的生长气氛；　　 (3)研究了溅射功率对制备的A1N薄膜性能的影响。结果表明,一般情况下,减小溅射功率能够提供给(100)择优取向的A1N薄膜更好的生长气氛；　　 (4)通过PFM测试,发现(100)择优取向的A1N薄膜的压电性主要表现在薄膜面内方向上。对于A1N来说,c轴方向为极轴方向,沿此方向施加机械力,会在(002)面上产生最强的电荷；而沿垂直于极轴的a轴方向施加机械力,在(100)面上不产生电荷,仍在(002)面上产生电荷。