电子信息技术在军工及航空航天的大量应用促使电子封装朝着高性能化、高集成化、轻量化和小型化方向发展。石墨片/Cu基复合材料综合Cu基体及增强相石墨片优良的性能,是最具希望的新型电子封装材料之一。但该复合材料也普遍存在着石墨片在Cu基体中存在分布不均,各向异性突出及界面结合状态不佳等问题,复合材料的性能远未得到充分发挥。改进工艺,优化结构以大幅度地提高复合材料性能,满足现代电子封装技术的需求,具有重要意义。本文采用平均直径为60μm,厚度约200 nm的石墨片为增强相,常压烧结制备1-15wt%石墨片/Cu基复合材料。当石墨片含量小于3 wt%时,石墨片团聚程度低,石墨片与Cu界面结合紧密。但随着石墨片含量的增加,复合材料中石墨片趋于叠合团聚,致密度降低,石墨片/Cu界面结合状态恶化。1wt.%石墨片/Cu基复合材料的致密度为93.6%,硬度为HB49.2,X-Y方向热导率327.7W/（m·K）,Z方向热导率223.6W/（m·K）,热膨胀系数14.1×10-6/K。经过压下量为55%的轧制及400℃退火的形变热处理后,1-5wt.%石墨片/Cu基复合材料近乎完全致密,石墨片解团聚现象明显,形态更加平直,分布的取向性有所增加,但石墨片含量超过5wt%,复合材料的致密度低,界面结合强度低,复合材料在形变热处理过程中易开裂。形变热处理态1wt.%石墨片/Cu基复合材料的致密度达99.2%,硬度为HB58.6,X-Y方向热导率380.4W/（m·K）,Z方向热导率179.3W/（m·K）,热膨胀系数13.6×10-6/K。综合性能较烧结态石墨片/Cu基复合材料有很大提升。采用热压烧结工艺实现高质量分数石墨片/Cu基复合材料的制备。提高烧结压力,促进石墨片的相对位移,有助于消除石墨片的团聚,提高复合材料的致密度。随着石墨片含量的增加,石墨片/Cu基复合材料的致密度、抗弯强度、热膨胀系数随石墨片含量减少。55 MPa热压烧结20wt.%石墨片/Cu基复合材料的致密度约93%,沿X-Y方向的热导率达288.5W/（m·K）,热膨胀系数达8.9×10-6/K,抗弯强度达35MPa。