基于TF(Thin Film)-SOI衬底应变Si BiCMOS(由TF-SOI SiGe HBT和TF-FD-SSOI MOSFET单元构成)技术是当前国内外研究发展的重点和热点,在高性能、高集成度、低功耗纳米电路中具有广阔的应用前景。本文主要开展TF-SOI SiGe HBT和TF-SOI应变MOSFET电学特性的研究工作:1)、针对所提出的TF-SOI SiGe HBT结构,建立TF-SOI SiGe HBT集电结空间电荷区电容模型,在此基础上,进一步建立TF-SOI SiGe HBT正/反向厄利电压模型,对TF-SOI SiGe HBT的频率和厄利特性进行仿真分析,获得了有实用价值的相关结论。2)求解泊松方程,获得TF-FD-SSOI MOSFET二维表面势模型,建立该器件的阈值电压和亚阈电流解析模型。ISE-TACD数值仿真表明:本文所建模型与其结果一致,验证了本文模型的正确性。本文TF-SOI SiGe HBT与TF-FD-SSOI MOSFET电学特性的相关研究,可为TF-SOI SiGe BiCMOS的研究设计提供重要的理论依据。