对均配和杂配Cu(Ⅰ)发光配合物的理论研究

来源 :东北师范大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wff0301
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
过渡金属配合物有机电致发光材料能同时利用三重态和单重态激子,使发光效率大大提高。稀有贵金属铱、铂、锇等有机金属配合物性能优异,但由于环保、储量及价格等因素使其应用受限,亟待开发替代材料。Cu(Ⅰ)配合物由于其价格低廉、对环境友好以及缺少低能态的金属中心(MC)d-d*跃迁成为金属配合物发光材料的理想候选者。本论文采用了DFT/TDDFT的方法研究了一系列Cu(Ⅰ)配合物的基态和激发态的结构、辐射跃迁速率、非辐射跃迁速率及其影响因素,解释了Cu(Ⅰ)配合物中配体从N^N至P^P配体变化过程对于电子结构以及发光性质的影响。对辐射跃迁过程的研究表明:分子1由于具有最高的MLCT比例,导致其旋轨耦合作用大于其他分子,具有最高的辐射跃迁速率;分子2由于具有最高的三重态激发能,并且振子强度与旋轨耦合矩阵元的配合度也较高,因此具有较大的辐射跃迁速率;分子4单电子单中心的旋转-轨道积分为零,因此辐射跃迁速率为零。即受体型配体(N^N)使得金属参与跃迁(MLCT)比例高;供体型配体(P^P)使得配体到配体跃迁(LLCT)比例高。对非辐射跃迁过程的研究表明:分子2由于N^N配体与P^P配体间空间位阻的配合,抑制了N^N配体的弯曲振动,因此具有较小的重组能,致非辐射速率降低。杂配分子3,由于NP配体中二苯基-磷结构的加入,破坏了原来N^N配体的共轭性质,且并未有大的空间位阻填满此配位空间,导致NP配体中P原子所连的苯环的摇摆振动加剧,致使分子3具有最大的重组能,非辐射跃迁速率较大。本文从理论上阐述了不同配位结构对Cu(Ⅰ)配合物对发光性质的影响,解释了供受体混合的杂配位配合物具有更好的发展前景的原因,为Cu(Ⅰ)配合物发光材料的结构调控提供了有价值的参考。
其他文献
在过去的几十年中,微透镜阵列(MLA)已广泛应用于光收集和成像应用,如电荷耦合器件(CCD),光纤耦合,光束整形和光学神经网络等领域。然而,这种微光学元件的有限制造方法在一定
随着社会的发展,第五代移动通信技术将会面临海量连接场景,用户需要频谱效率更高、传输速率更快、系统容量更大的通信系统。而第四代移动通信技术采用的正交多址接入技术不能满足这些需求。为解决这一问题,业界研究人员提出一种非正交多址接入(NOMA)技术。本文主要研究NOMA系统中下行链路的信号检测技术。主要工作如下:(1)在基于施密特正交化的排序QR分解检测(SQRD)算法的基础上,提出了一种低复杂度SQR
小口径钢管作为船舶管系的重要组成部分,为保障船舶的正常运行而源源不断地输送着燃油、润滑油、冷却水等介质。然而,由于输送的介质大多具有腐蚀性,且所处的工作环境恶劣,使
本文以新石器时代陶鼎的造型为主要探究对象,根据所查到的资料、文献、图样等进行对比分析,研究其在新石器时代的各个阶段的主要特点及演变原因。论文的目标是尽可能在现有文
惩罚性违约金作为对债务不履行之私的惩罚,具有担保债务履行的功能,因而在实务中被广泛使用。我国立法未采学理上的违约金二分模式区分违约金的类型,从而引发理论与实务关于
单片机技术应用于各种嵌入式系统中,在现代电子工程领域中迅速发展的重要技术之一。单片机技术的发展推动了电子工业的发展,在教育界学习单片机技术是一个热门,在产业界,单片
作为吴门画派先驱,画史对刘珏给予了较高评价。但由于其流传作品极少且真伪不易考,目前学界尚未对刘珏及其作品进行系统研究,这使得史料中对刘珏的评介与对其作品的研究状况
近年来,随着光学精密器件要求的不断提高,基于空间光调制器的投影光刻技术凭借其高效率引起了广泛关注。作为代表性的例子,基于数字微镜器件(DMD)的数字光刻,凭借DMD芯片的灵活
《东庄图册》是明代大画家沈周中年时期的代表作品,其别具一格的构图和用笔使得这幅作品具有不同于以往的独特的审美风格。董其昌对这幅作品大加赞赏,称其“观其出入宋元,如
存储器作为半导体产业中的重要组成部分,以其存储密度高、存储容量大、操作速度快、运行功耗低等特点发展迅速。Flash存储器目前是非挥发型存储器电路中最重要的一种,其应用