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DC/DC转换器作为二次电源广泛应用于太空辐射环境下,其辐射损伤可靠性成为亟待解决的问题。传统的辐射加固设计和筛选方法存在生产周期长,成本高,性能落后等缺点。本文探索采用ePHM方法来解决DC/DC转换器辐射损伤可靠性问题。本文对DC/DC转换器及其内部易损单元之一—VDMOSFT的辐射损伤机理和失效模式作了深入研究。设计并完成DC/DC转换器和VDMOSFET的γ射线辐照实验。在深入分析参数退化机理的基础上优选了敏感表征参量。然后建立基于VDMOSFET的DC/DC转换器辐射损伤预测模型