本论文中主要制备了重稀土-过渡金属（Dy,Tb）FeCo以及Heusler合金Co₂MnSi（CMS）薄膜,研究了不同工艺参数对薄膜的磁及结构特性的影响。主要内容如下:首先,采用FeCo靶与Dy片组合的镶嵌靶,利用直流磁控溅射的方式制备出了具有较好垂直磁各向异性的DyFeCo薄膜。实验分析发现,溅射功率和工作气体流速对DyFeCo薄膜的成分影响明显。改变溅射功率,可以制备出富过渡（TM）和富稀土（RE）两种类型的DyFeCo薄膜。适当的溅射功率和工作气体流速,可以提升DyFeCo薄膜的垂直磁各向异性。与此同时,采用FeCo靶与Tb片组合的镶嵌靶,利用射频磁控溅射的方式成功制备出了具有垂直磁各向异性的非晶TbFeCo薄膜。通过改变溅射功率、Ta缓冲层厚度和磁性层厚度等参数,实现了对TbFeCo薄膜垂直磁各向异性的调节。其次,在常温下利用直流磁控溅射法制备了结构为Si/Ta/Mg O/CMS/Ta的样品,研究了溅射功率对CMS薄膜面内磁特性及结构特性的影响。热磁特性分析发现,当加热温度达到400℃以后,薄膜的饱和磁化强度开始增大,逐渐由弱磁性转变为强磁性。随着加热温度的继续升高,溅射功率越大的薄膜,磁相变发生的越迅速。结构特性分析表明,薄膜经400℃退火后发生了晶化,并且晶粒尺寸与薄膜的溅射功率和退火温度相关。薄膜退火后的磁特性和方块电阻变化表明,适当的溅射功率和退火温度,能够获得软磁性能较好的CMS薄膜。最后,成功制备了Ta为中间层,不同厚度的TbFeCo薄膜分别作为底层和顶层的多层膜结构薄膜,并且成功观察到了两个磁性层在不同外场下的连续翻转。