SOI基SiOx柱光子晶体的研究

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人类科技的进步很大程度上是基于新材料的发现与应用,光子晶体作为新型的人工材料,由于其具有光子禁带和光子局域的特性,使光子晶体制作的光学器件拥有传统光学器件无法比拟的优势。绝缘体上的硅(SOI)是突破目前体硅材料极限最主要的解决方法,具有成本低、集成度高、抗辐射、耐高温的优势。SOI由于其表面层跟氧化硅埋层的折射率差,形成平面波导结构。在SOI基上制备的二维光子晶体,受到人们的广泛关注。本文主要运用有限时域差分法从理论上研究了SOI基SiOx柱平板光子晶体的光波传播特性,主要工作如下:(1)介绍了SO
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