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沟槽MOSFET栅极多晶硅空隙缺陷问题研究及工艺优化

来源 :天津大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：Mijieer

【作 者】

：

武颖 

【出 处】

：

天津大学

【发表日期】

：

2013年11期

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