本文分析了Al-Mg-Si合金中的相空间和相界面的价电子结构，研究了其对合金性能的影响。主要内容为： 1．在Al-Mg-Si合金固溶体中主要存在着三类晶胞：α-Al晶胞，Mg₂Si晶胞和Si晶胞，运用固体与分子经验电子理论（简称EET理论），对各相的价电子结构、相界面如α-Al／Mg₂Si（β）界面、α-Al／β-Si界面的面电荷密度以及β-Si和Mg₂Si（β）的键密度进行了计算。 2．对影响合金性能的结构因子F、相结构形成因子S等进行了计算。 3．对计算结果进行了分析。 在Al-Mg-Si系合金的固溶体中，Mg原子和Si原子之间存在强烈的相互作用，容易形成Mg₂Si（β相）偏聚区。同时，加入过量的硅，可以更好地、更多地生成Mg₂Si，这些细小偏聚区分散在固溶体中有效地抑制着基体Al晶粒的长大，起到了弥散强化的作用；由于硅的最短键的键密度比Mg₂Si最短键的键密度要大，又抑制了Mg₂Si晶粒的生长，使晶粒得到细化。 Al-Mg-Si系合金在时效过程中的二元析出相Mg₂Si的（001）界面与基体Al（001）界面电子密度不连续，且相差很大；此外，β-Si的（100）界面与基体α-Al（110）界面电子密度也不连续，并且相差也很大，二广西大学硕士学位论文者共同导致合金的性能下降。同时相结构因子也决定了合金性能的下降。