石墨烯自发现以来,就引发了多个领域的研究高潮。其独特的物性逐渐被人们所认识,并成为石墨烯广阔应用前景的物理基础。石墨烯有望成为下一代电子产品中硅基半导体的替代材料,以及太阳能的开发与使用的候选技术。硅纳米线作为纳米形式的硅晶,由于量子限制效应而具有令人惊奇的光电效应。由于多种缺点,目前而尚未广泛应用于太阳能材料的制备。我们利用镍做催化剂,采用CVD法,在硅纳米线上制备出纳米尺寸的石墨烯,期待能对太阳能新能源的开发有所裨益。本文采用拉曼光谱、X光电子能谱以及扫描电子显微镜对石墨烯进行了表征,并与大面积硅单晶上的制备效果进行对比,结果显示：随着镍膜厚度的不同,石墨烯的质量变化趋势并不同。在硅纳米线上所长石墨烯,质量随镍膜厚度的增加而提高；单晶硅上的石墨烯则随镍膜厚度增加,质量下降。