随着滤波器、谐振器等器件以及通信技术的发展,人们对电介质材料的要求越来越高,要求作为介质谐振腔的电介质材料在高频段下具有高介电常数,低介电损耗,接近于零的介电常数温度系数,还要求高频电介质材料能够在较低的烧结温度下烧成,以降低实际生产的成本,此外,材料的小型化,高可靠性也是高技术高频介质材料的重要研究方向。本论文以在Ba-Ti系中具有最低介电损耗的BaTi₄O₉（BT₄）高频介质陶瓷和BaTiO₃A位Sr取代而得的（Ba,Sr）TiO₃（BST）高频介质陶瓷作为研究对象,对不同粉体制备方法制备的BT₄/BST高频电介质材料进行不同元素的掺杂,运用阿基米德方法,X射线衍射分析仪,扫描电子显微镜和阻抗分析仪,网络分析仪, Hakki-Coleman法等方法手段和测试仪器测试烧成样品的密度,相组成情况,微观结构和介电性能,探讨造成介电性能起伏的形成机理。本人工作的主要研究成果如下:1.BT₄掺杂低熔点的CuO能降低样品的烧结温度,没有其他相生成,烧结后CuO以无定形态的形式存在,导致样品介电性能降低。2.BT₄掺杂MnO₂可以稍降低样品的烧结温度,可变价的Mn⁴⁺可以降低样品的介电损耗,提高介电常数。3.BST中掺杂ZrO₂,晶粒尺寸增大,掺杂量较大时会产生第二相BaZrO₃,介电常数随掺杂量的增大呈现先增大后减小的趋势,介电损耗则先减小后增大。4.Bi₂O₃或V₂O₅单独掺杂都能降低BT₄的烧结温度,单独掺杂Bi₂O₃将产生第二相BaBi₄Ti₄O₁₅,介电性能恶化,复合掺杂Bi₂O₃和V₂O₅没有第二相出现,说明V离子能抑制此第二相BaBi₄Ti₄O₁₅的生成。5.适量La掺入BST中,能抑制晶粒长大,增大介电常数和降低介电损耗,但La掺杂过多会产生La₄Ba₄Ti₇O₂₄相,有损介电性能。BT₄掺杂Nd没有第二相生成且掺杂量较少时能提升样品的介电性能。