本文以海滨锦葵〔Kostelezkya virginica(L.) Presl.〕为实验材料,研究不同温度处理对海滨锦葵光合特性的伤害作用,探求海滨锦葵对高温胁迫的耐受温度.对关键温度处理后的海滨锦葵进行光照和黑暗条件下的恢复,探究海滨锦葵高温胁迫后的恢复机制.最后用高浓度 NaCl与高温同时处理海滨锦葵,观察高盐和高温对海滨锦葵的交叉抗性。结果如下:　　1.海滨锦葵热害临界温度高温处理使海滨锦葵净光合速率下降,光合放氧量下降.气孔导度随处理温度升高下降,但在高于45℃处理后开始上升.42℃以下温度处理时,由于气孔限制因素导致净光合速率下降,48℃以上高温处理,则是由于非气孔限制因素引起的,是叶肉限制或光合反应中心受损造成的.　　高温处理导致海滨锦葵实际光化学效率下降,高温处理抑制了光系统Ⅱ的实际光化学效率.　　高温处理使海滨锦葵Fo升高,Arrhenius图中,可以看出温度对Fo的影响的临界温度在44.9℃.　　随处理温度升高,在45℃处理时开始出现 K相.高温胁迫使海滨锦葵Φ Po下降,Φ Eo下降,Φ Do升高,海滨锦葵通过增加热耗散的方式降低高温的伤害.高温胁迫导致海滨锦葵单位面积有活性的反应中心数量降低,单位叶面积上吸收、捕获和用于电子传递的能量降低,相应的单位反应中心吸收、捕获和用于电子传递的能量升高.无论是单位叶面积还是单位反应中心的热耗散均增加.　　以吸收光能为基础的性能指数(PIABS)随处理温度的升高呈现显著降低趋势,在42℃、45℃和48℃处理时显著降低.　　综合以上结果,可以看出45℃为海滨锦葵耐受高温的关键温度.　　2.海滨锦葵耐热关键温度的热胁迫后恢复及光照和黑暗两种恢复条件的比较海滨锦葵受高温处理后净光合速率在48h内的恢复情况与光合放氧量的变化基本一致.42℃处理的海滨锦葵,在48h内可以恢复到处理前的水平.45℃处理后,在48h后恢复到较正常水平,48℃处理没有恢复.　　42℃处理未导致Fo的升高,45℃处理在光照下8h即可恢复到正常水平,而黑暗条件下则没有显著恢复.48℃处理后位于光照下的海滨锦葵的初始荧光产量逐渐升高,在处理8h、24h、48h后均呈现出显著增加的趋势;黑暗中恢复的海滨锦葵的初始荧光产量则基本没有变化.　　42℃处理光照条件下8h内即可恢复至正常水平,说明高温未对光系统Ⅱ造成严重伤害.45℃处理光照条件下48h内逐渐恢复,Φ Po、Φ Eo、RC/CSm、ABS/CSm、TRo/CSm、ETo/CSm、PIABS均先降低后升高,推测高温伤害光系统Ⅱ并导致其分解,并在光照下重新合成.黑暗条件下42℃和45℃均没有显著恢复,说明光照是光系统Ⅱ进行修复和重新合成的必要条件.48℃处理无论是光照还是黑暗条件均无显著恢复,说明48℃以上的高温已造成严重伤害了PSⅡ并破坏了其修复能力.　　3.海滨锦葵对高盐和高温的交叉抗性随着处理温度的升高,未经过盐处理的海滨锦葵的Wk值随之升高,而用200 mmol·L-1 NaCl处理的Wk值显著低于没有NaCl处理.在45℃处理时经过盐处理的海滨锦葵Φ Po显著高于未经过盐处理,在48℃处理时极显著.同样,Φ Eo、RC/CSm、PIABS、净光合速率等也表现出与Φ Po相似的趋势,而Φ Do的变化却与之相反,这表明盐处理可以降低海滨锦葵受到高温胁迫时 PSⅡ供体侧的损伤程度,增加电子传递,降低热耗散,降低了海滨锦葵光合系统中有活性的反应中心数目的下降幅度,避免了PIABS的显著降低.证明盐处理后能提高海滨锦葵的抗热性,海滨锦葵对盐胁迫和高温胁迫具有较好的交叉抗性。