纳米结构材料以其奇异的性质而受到人们的广泛关注,其中以碳纳米管和石墨烯纳米带为典型代表的基于碳结构的纳米材料因可以作为纳功能器件而受到了高度的重视。很多基于碳纳米管和石墨烯纳米带的电子器件在实验上被设计了出来。电子器件的性能取决于其中电子的输运性质,因此,在实验技术不断发展的同时,如何从理论上对碳结构纳功能器件的电子输运性质进行研究并反过来指导实验将是一个很有意义的课题。本文从紧束缚模型出发,运用格点格林函数方法研究了基于纳功能电子器件应用的两种典型的碳纳米结构材料——碳纳米管和石墨烯纳米带及其组合结构的电子输运性质,并对结果进行了分析和讨论,预言了缺陷等对电子导电行为的影响,得到了一些有意义的结论。本论文的主要内容包括以下五个部分第一章,简单介绍了纳米功能结构及其电子输运,同时阐述了基于碳纳米管和石墨烯纳米带功能器件的结构和电子输运性质。第二章,介绍了格点格林函数方法的基本原理,并简单介绍了该方法在纳米功能器件电子性质中的应用。第三章,研究了两个空位缺陷对金属型石墨烯纳米带电子输运性质的影响。讨论了两个空位缺陷沿不同方向相向移动对金属型石墨烯纳米带电导的影响机制,预言了基于石墨烯纳米带的电子器件。第四章,研究了碳纳米管/石墨烯纳米带异质结结构的电子输运性质,设计了不同种类的异质结结构,并对其电子输运性质进行了对比和讨论。第五章,对本文的研究工作进行了简单的总结,并基于目前的研究结果,对以后的研究进行了一定的展望。