低压差稳压器(LDO)主要为电路提供一种不随负载阻抗、输入电压、温度及时间变化而变化的电源电压。LDO因其轻巧便宜,可以很好的集成于芯片内部的优点而在日常生活中的手机、电脑等移动电源设备中都有广泛的应用。本文首先简要介绍LDO线性稳压器的工作原理及基本性能指标,然后重点分析有片外电容LDO及无片外电容型LDO电路瞬态特性,在此基础上设计一种快速瞬态响应的输出端无电容线性稳压器。其中：误差放大器采用推挽输出级高摆率放大器,加入锁存对管构建电流快速泄放回路,加速放大器对功率管栅端充放电。瞬态增强电路通过输出端反馈回来的信号,对跨导运放部分的偏置电流加以调制,进一步加速LDO响应恢复时间。对不同参考电压源结构进行分析,通过仿真结果对比得出,对于高摆率电流型跨导运算放大器,驱动电流越大电路瞬态性能越强。调整管采用工作于线性区的小尺寸PMOS管,可以在减小芯片面积同时能流过较大电流。通过对电路结构进行优化,建立LDO小信号模型,计算并分析得到系统的环路增益并推导电路的零极点分布位置,电路可以维持稳定。本文在综合考虑稳定性,瞬态响应性能及低功耗的基础上,设计实现了片内集成的瞬态增强型LDO电路。本文的电路设计基于SMIC 0.18μmCMOS工艺完成整体设计,并用Cadence Spectre对所设计电路进行仿真,应用Virtuoso版图工具完成了芯片版图的设计和绘制。仿真结果显示：在输入电压1V,输出电压900mV的情况下,负载发生49.9mA/0.1μs跳变时,瞬态响应时间小于0.62μs,负载瞬态响应过冲与下冲电压小于300mV；负载电流发生49.9mA/1μs跳变时,瞬态响应时间小于1.5μs,负载瞬态响应过冲与下冲电压小于69.4 mV。