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二氧化钒薄膜半导体--金属相变中的电学和光学性质研究

来源 :中国科学院大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lhk4444

【作 者】

：

杨伟 

【机 构】

：

中国科学院大学

【出 处】

：

中国科学院大学

【发表日期】

：

2014年期

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