【摘 要】
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随着现代科技的蓬勃发展,在某些特定应用领域对能在高温环境工作的压电材料需求日益紧迫,因此亟需匹配以高温压电材料为核心的新型压电元件。高温压电陶瓷Bi Sc O3-Pb Ti O3(BS-PT)拥有高的居里温度和优异的压电性能,已成为高温工作环境下的优选材料之一。本论文针对目前BS-PT陶瓷制备工艺窗口窄、温度稳定性差、高压电和高居里温度兼具困难等不足展开研究。基于Pb O能够稳定陶瓷相结构,本研究
【基金项目】
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国家自然基金(编号:51602242);
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随着现代科技的蓬勃发展,在某些特定应用领域对能在高温环境工作的压电材料需求日益紧迫,因此亟需匹配以高温压电材料为核心的新型压电元件。高温压电陶瓷Bi Sc O3-Pb Ti O3(BS-PT)拥有高的居里温度和优异的压电性能,已成为高温工作环境下的优选材料之一。本论文针对目前BS-PT陶瓷制备工艺窗口窄、温度稳定性差、高压电和高居里温度兼具困难等不足展开研究。基于Pb O能够稳定陶瓷相结构,本研究选取准同型相界(MPB)组分0.36BS-0.64PT,考察Pb O掺杂及制备工艺对陶瓷结构与性能的影响规律,探索最优工艺条件;基于缺陷工程和晶格畸变调控相界理论,探索相结构组成对低铅含量的0.39BS-0.61PT陶瓷组织和性能的影响,构筑成分—相界—组织—性能之间的关系。主要结果如下:(1)通过固相法成功制备了0.36BS-0.64PT和1wt%Pb-0.36BS-0.64PT两个组分的压电陶瓷;1wt%Pb O的引入有利于稳定0.36BS-0.64PT陶瓷的相结构和电学性能、拓宽陶瓷的烧结工艺窗口;0.36BS-0.64PT组分陶瓷的居里温度基本不受1wt%Pb O和制备工艺的影响,所有陶瓷均展现出高的居里温度Tc=450℃;1wt%Pb-0.36BS-0.64PT陶瓷具有更高的压电和机电性能:室温压电常数d33=365p C/N、机电耦合系数kp=51%、介电损耗tanδ=0.022。(2)采用固相法成功制备0.39BS-0.61PT和1wt%Pb-0.39BS-0.61PT陶瓷;1wt%Pb O的引入阻碍0.39BS-0.61PT陶瓷结构畸变,不利于该组分陶瓷相结构调控和压电性能的提高;晶格畸变诱导0.39BS-0.61PT陶瓷从单一三方相结构转变为三方四方相共存,成功构建了准同型相界(MPB);相对于1wt%Pb-0.39BS-0.61PT,0.39BS-0.61PT陶瓷具有更优异的压电和机电性能:压电常数d33=417p C/N,机电性能kp=53%,介电损耗tanδ=0.02,居里温度Tc=415℃;室温到300℃,陶瓷表现出优异的压电稳定性。(3)通过固相法成功制备0.36Bi(Sc1-xZrx)O3-0.64Pb Ti O3和0.39Bi(Sc1-xZrx)O3-0.61Pb Ti O3(x=0.005,0.01,0.015mol)两组分陶瓷;随Zr O2含量增加,0.36BS-0.64PT陶瓷相结构比例发生改变,在x=0.01mol时,0.36BS-0.64PT陶瓷室温压电常数d33=415p C/N,机电耦合系数kp=54%;随Zr O2含量的增加,0.39BS-0.61PT陶瓷相结构由R相向MPB相界方向变化,陶瓷的电学性能得到明显改善,并且居里温度随掺杂量的增加而向高温方向移动,解决了高居里高压电不能兼备的问题,同时样品表现出优异的温度稳定性。当烧结温度为1150℃,x=0.01mol时,具有优良的电学性能:室温压电常数d33=436p C/N、介电常数εr=1632、机电耦合系数kp=53%、tanδ=0.025、居里温度Tc=427℃。
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