过渡金属氧化物忆阻器的阻变性能及大脑神经功能模拟研究

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近年来,人工智能领域飞速发展,其终极梦想是构建出具有类脑智能的计算机。大脑智能的实现依赖于由大量神经元和神经突触构成的生物神经网络所具有的并行处理和存储信息的能力。利用忆阻器的阻变性能可以实现突触和神经元的神经功能模拟,为硬件上构建脑启发的神经网络进而实现人工智能提供了无限可能。但是真正地利用忆阻器构建庞大的人工神经网络并实现类脑计算还有很多问题亟待解决。从材料学的角度,其一,阻变现象广泛存在于各类材料之中,但是具体的阻变过程各异,阻变的基本物理机制还不够清楚;其二,利用忆阻器模拟的突触神经功能有待
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