【摘 要】
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在该论文中,我们首次采用后氮化法在不同衬底上制备出GaN薄膜,详细叙述了薄膜的制备过程,探索了薄膜的制备条件和工艺参数,并研究了薄膜的结构、表面形貌以及光致发光特性,以
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在该论文中,我们首次采用后氮化法在不同衬底上制备出GaN薄膜,详细叙述了薄膜的制备过程,探索了薄膜的制备条件和工艺参数,并研究了薄膜的结构、表面形貌以及光致发光特性,以及衬底材料、制备条件和测试条件对薄膜性质的影响.初步探讨了薄膜的生长机制和发光机制.第一章中介绍了GaN薄膜的应用和制备方法,描述了GaN的研究现状及课题选取的原因.随着对GaN材料研究的深入和制备技术的不断发展,其应用领域将不断扩大,应用前景非常广阔.在第二章中,对实验设备以及测试手段进行了介绍.第三章研究了用后氮化方法制备的GaN薄膜的结构性质,并研究了制备条件和衬底对GaN薄膜结构特性的影响.在第四章中,研究了制备条件对GaN样品表面形貌的影响,并且对样品的纳米结构的生长机制进行了初步的探讨.在第五章中,我们研究了用后氮化方法制备的GaN样品的光致发光特性,以及制备条件、激发条件和测试温度对它的影响.
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