【摘 要】
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GaN基紫外光（UV）探测器是氮化物研究的一个新热点.它有许多潜在的应用前景,如与太阳有关的天文学,导弹、火箭的探测,以及燃烧过程和商品加工中UV消毒等过程的UV监测等领域.该论
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GaN基紫外光（UV）探测器是氮化物研究的一个新热点.它有许多潜在的应用前景,如与太阳有关的天文学,导弹、火箭的探测,以及燃烧过程和商品加工中UV消毒等过程的UV监测等领域.该论文的研究主要集中在GaN基光电导型探测器上.工作主要集中在以下几方面：1.为了制作出性能良好的GaN紫外光探测器,必须采用高阻,高迁移率的GaN外延层的样品.对MOCVD生长条件进行的优化实验表明在500torr高压下生长出的缓冲层可以得到高迁移率样品;在低压75torr下生长GaN外延层可以得到高阻样品.2.鉴于半导体金属欧姆接触对于探测器的重要性,对欧姆接触进行了研究.通过对同一时间不同温度下的退火和同一温度下不同时间的退火实验,确定了Ti／Al／Ni／Au的最佳退火条件,在900℃温度下退火时间为30s的情况下,能够获得最低的接触电阻1.53×10<-6>Ω·cm<2>.3.自己组建了GaN紫外光探测器的测试系统,对系统的评估表明这个系统适合GaN基紫外光探测器的测量实验.4.自制了GaN基光电导型探测器,对探测器样品在室温下和94K低温下进行了测量和分析.低温下的光谱响应的极大值21.005A／W是室温时极大值4.98A／W的5倍.同时低温下的少数载流子的复合时间常数也由室温下的3.9ms增加到11ms.低温下光谱响应有一个蓝移现象.目前关于在低温下氮化物探测器性能的报道很少.
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