传感器技术是现代信息技术的关键组成之一。传感器是采集对象与信息系统的接口，是系统感知、获取与检测信息的窗口。磁传感器是传感器大家族中的一个重要分支。通过磁场的无接触特性，对非电量的测量是磁传感器应用的一个重要方面。本文所研究的改进型二维锑化铟-铟(InSb-In)磁阻振动传感器是由InSb-In薄膜磁阻元件为核心部件，制成的磁振动传感器。其磁头由两对对称轴方向互相垂直的InSb-In磁阻元件构成，且被置于同一水平面上相对放置，既使磁阻式振动传感器由原来的两层平面结构简化为一层结构，又保证以两个垂直方向为基准方位检测金属滚珠运动，从而起到优化磁传感器的制作工艺，扩大检测范围的作用。 本文首先介绍了InSb磁敏效应的基本原理，设计了改进型二维InSb-In振动传感器的磁传感器结构，还设计了适合磁阻式振动传感器的信号处理电路，得出了信号的输出与振动检测强度、振动检测频率的关系。设计了单片机信号采集程序，来更好的处理传感器的输出信号，以及运用看门狗电路，来监测单片机的运行情况。本文对该振动传感器的各项性能进行了测试，结果表明： (1)改进型二维锑化铟-铟磁阻振动传感器既扩大了检测范围，又优化了传感头结构，优化了模拟信号处理的电路结构，加速了产品生产效率，适应了市场的需求。(2)实验结果表明，振动加速度6m·s-2左右时，振动传感器的有效振动频率范围为(100～750)Hz范围；振动频率一定时，当检测强度增加到一定数值后，输出信号不随振动强度的增加而增大，而是保持稳定。此工作性质由该传感器的特殊结构决定，使其在实际应用中防冲击、防破坏性能良好，即使受到较大的撞击，传感器依然保持输出正常稳定，比较适用于防盗报警。(3)该振动传感器能够在-40℃～80℃正常工作，信号输出稳定准确，解决了半导体磁敏电阻温度特性差的问题。(4)传感器整机工作稳定可靠，电路简单，调试方便，成本较低，适合工业化大规模生产。